HYG018N10NS1B6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG018N10NS1B6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 322 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: TO263-6L

Аналог (замена) для HYG018N10NS1B6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG018N10NS1B6 даташит

 ..1. Size:714K  hymexa
 hyg018n10ns1b6.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG018N10NS1B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/322A RDS(ON)=1.4m (typ.)@VGS=10V 100% Avalanche Tested Pin 7 Reliable and Rugged Halogen-Free and Green Devices Available Pin 1 Pin1 (RoHS Compliant) TO-263-6L TO-263-6L Applications Energy Storage Pin 1 Battery Protection Battery Operated Tools Pin 2

 9.1. Size:625K  1
 hyg017n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG017N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/135A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.7m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.3m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

 9.2. Size:638K  1
 hyg015n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG015N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/150A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.4m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

 9.3. Size:706K  1
 hyg013n03ls1c2.pdf pdf_icon

HYG018N10NS1B6

HYG013N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/150A D D D D D D D D RDS(ON)= 1.3m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manageme

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY5110W, HY5110A, HY5204W, HY5204A, HY5208W, HY5208A, HY5608W, HY5608A, K3569, HYG020N04NA1P, HYG020N04NA1B, HYG020N04NA1PL, HYG023N03LR1D, HYG023N03LR1U, HYG023N03LR1V, HYG025N06LS1C2, HYG025N06LS1P