HYG080N10LS1D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HYG080N10LS1D
Código: G080N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 34.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 766 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HYG080N10LS1D
HYG080N10LS1D Datasheet (PDF)
hyg080n10ls1d.pdf
HYG080N10LS1D Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/62A RDS(ON)= 7.6m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 11.1m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Single N-Channel MOSF
hyg082n03lr1c1.pdf
HYG082N03LR1C1 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 30V/32A RDS(ON)= 7.0m(typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 10.5 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged S S S G G S S S Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) DFN3*3-8L Applications Power Management for DC/DC
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Liste
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