HYG080N10LS1D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG080N10LS1D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 766 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HYG080N10LS1D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG080N10LS1D даташит

 ..1. Size:894K  hymexa
 hyg080n10ls1d.pdf pdf_icon

HYG080N10LS1D

HYG080N10LS1D Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/62A RDS(ON)= 7.6m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 11.1m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Single N-Channel MOSF

 9.1. Size:748K  hymexa
 hyg082n03lr1c1.pdf pdf_icon

HYG080N10LS1D

Другие IGBT... HYG065N07NS1U, HYG065N07NS1V, HYG065N07NS1P, HYG065N07NS1B, HYG065N15NS1B6, HYG065N15NS1P, HYG065N15NS1B, HYG068N08NR1P, STF13NM60N, HYG082N03LR1C1, HYG092N10LS1C2, HYG110P04LQ2D, HYG110P04LQ2U, HYG110P04LQ2V, HYG210P06LQ1D, HYG210P06LQ1U, HYG210P06LQ1V