Справочник MOSFET. HYG080N10LS1D

 

HYG080N10LS1D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HYG080N10LS1D
   Маркировка: G080N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 766 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HYG080N10LS1D

 

 

HYG080N10LS1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:894K  hymexa
hyg080n10ls1d.pdf

HYG080N10LS1D
HYG080N10LS1D

HYG080N10LS1D Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/62A RDS(ON)= 7.6m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 11.1m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Single N-Channel MOSF

 9.1. Size:748K  hymexa
hyg082n03lr1c1.pdf

HYG080N10LS1D
HYG080N10LS1D

HYG082N03LR1C1 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 30V/32A RDS(ON)= 7.0m(typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 10.5 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged S S S G G S S S Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) DFN3*3-8L Applications Power Management for DC/DC

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top