HYG092N10LS1C2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HYG092N10LS1C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 437 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm

Encapsulados: PDFN8L

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HYG092N10LS1C2 datasheet

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HYG092N10LS1C2

HYG092N10LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 100V/60A RDS(ON)= 7.8 m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) Pin1 PDFN8L 5x6 Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

 ..2. Size:1465K  hymexa
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HYG092N10LS1C2

HYG092N10LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 100V/60A RDS(ON)= 7.8 m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) Pin1 PDFN8L 5x6 Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

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