HYG092N10LS1C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HYG092N10LS1C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 437 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HYG092N10LS1C2

HYG092N10LS1C2 Datasheet (PDF)

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hyg092n10ls1c2.pdf

HYG092N10LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 100V/60ARDS(ON)= 7.8 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

..2. Size:1465K hymexa
hyg092n10ls1c2.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: