HYG092N10LS1C2 Todos los transistores

 

HYG092N10LS1C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG092N10LS1C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 437 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

HYG092N10LS1C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1465K  1
 hyg092n10ls1c2.pdf pdf_icon

HYG092N10LS1C2

HYG092N10LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 100V/60ARDS(ON)= 7.8 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

 ..2. Size:1465K  hymexa
 hyg092n10ls1c2.pdf pdf_icon

HYG092N10LS1C2

HYG092N10LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 100V/60ARDS(ON)= 7.8 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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