HYG092N10LS1C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG092N10LS1C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 437 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm

Тип корпуса: PDFN8L

Аналог (замена) для HYG092N10LS1C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG092N10LS1C2 даташит

 ..1. Size:1465K  1
 hyg092n10ls1c2.pdf pdf_icon

HYG092N10LS1C2

HYG092N10LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 100V/60A RDS(ON)= 7.8 m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) Pin1 PDFN8L 5x6 Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

 ..2. Size:1465K  hymexa
 hyg092n10ls1c2.pdf pdf_icon

HYG092N10LS1C2

HYG092N10LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 100V/60A RDS(ON)= 7.8 m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) Pin1 PDFN8L 5x6 Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

Другие IGBT... HYG065N07NS1P, HYG065N07NS1B, HYG065N15NS1B6, HYG065N15NS1P, HYG065N15NS1B, HYG068N08NR1P, HYG080N10LS1D, HYG082N03LR1C1, 2N60, HYG110P04LQ2D, HYG110P04LQ2U, HYG110P04LQ2V, HYG210P06LQ1D, HYG210P06LQ1U, HYG210P06LQ1V, HYG400P10LR1D, HYG400P10LR1U