Справочник MOSFET. HYG092N10LS1C2

 

HYG092N10LS1C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG092N10LS1C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 437 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG092N10LS1C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1465K  1
 hyg092n10ls1c2.pdf pdf_icon

HYG092N10LS1C2

HYG092N10LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 100V/60ARDS(ON)= 7.8 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

 ..2. Size:1465K  hymexa
 hyg092n10ls1c2.pdf pdf_icon

HYG092N10LS1C2

HYG092N10LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 100V/60ARDS(ON)= 7.8 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 11.5 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFU5410 | KNP3508A | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | SM6012NSQG

 

 
Back to Top

 


 
.