HYG110P04LQ2D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HYG110P04LQ2D
Código: G110P04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 57.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 76 nC
Tiempo de subida (tr): 48 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 253 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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HYG110P04LQ2D Datasheet (PDF)
hyg110p04lq2d hyg110p04lq2u hyg110p04lq2v.pdf
HYG110P04LQ2 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -40V/-50ARDS(ON)= 9.4m(typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 13 m(typ.) @VGS = -4.5V SDSGD 100% avalanche testedGS Reliable and Rugged DG Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching application Power Management in
hyg110p04lq2c2.pdf
HYG110P04LQ2C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -40V/-55A D D D D D D D D RDS(ON)= 9.0 m (typ.) @VGS = - 10V RDS(ON)= 13.0 m (typ.) @VGS = - 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Powe
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