HYG110P04LQ2D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG110P04LQ2D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 253 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HYG110P04LQ2D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG110P04LQ2D даташит

 ..1. Size:655K  hymexa
 hyg110p04lq2d hyg110p04lq2u hyg110p04lq2v.pdf pdf_icon

HYG110P04LQ2D

HYG110P04LQ2 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -40V/-50A RDS(ON)= 9.4m (typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 13 m (typ.) @VGS = -4.5V S D S G D 100% avalanche tested G S Reliable and Rugged D G Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching application Power Management in

 2.1. Size:739K  1
 hyg110p04lq2c2.pdf pdf_icon

HYG110P04LQ2D

HYG110P04LQ2C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -40V/-55A D D D D D D D D RDS(ON)= 9.0 m (typ.) @VGS = - 10V RDS(ON)= 13.0 m (typ.) @VGS = - 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Powe

Другие IGBT... HYG065N07NS1B, HYG065N15NS1B6, HYG065N15NS1P, HYG065N15NS1B, HYG068N08NR1P, HYG080N10LS1D, HYG082N03LR1C1, HYG092N10LS1C2, 8N60, HYG110P04LQ2U, HYG110P04LQ2V, HYG210P06LQ1D, HYG210P06LQ1U, HYG210P06LQ1V, HYG400P10LR1D, HYG400P10LR1U, HYG400P10LR1V