Справочник MOSFET. HYG110P04LQ2D

 

HYG110P04LQ2D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG110P04LQ2D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 253 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HYG110P04LQ2D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG110P04LQ2D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  hymexa
 hyg110p04lq2d hyg110p04lq2u hyg110p04lq2v.pdf pdf_icon

HYG110P04LQ2D

HYG110P04LQ2 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -40V/-50ARDS(ON)= 9.4m(typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 13 m(typ.) @VGS = -4.5V SDSGD 100% avalanche testedGS Reliable and Rugged DG Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching application Power Management in

 2.1. Size:739K  1
 hyg110p04lq2c2.pdf pdf_icon

HYG110P04LQ2D

HYG110P04LQ2C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -40V/-55A D D D D D D D D RDS(ON)= 9.0 m (typ.) @VGS = - 10V RDS(ON)= 13.0 m (typ.) @VGS = - 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Powe

Другие MOSFET... HYG065N07NS1B , HYG065N15NS1B6 , HYG065N15NS1P , HYG065N15NS1B , HYG068N08NR1P , HYG080N10LS1D , HYG082N03LR1C1 , HYG092N10LS1C2 , K2611 , HYG110P04LQ2U , HYG110P04LQ2V , HYG210P06LQ1D , HYG210P06LQ1U , HYG210P06LQ1V , HYG400P10LR1D , HYG400P10LR1U , HYG400P10LR1V .

History: IRF7457 | PTP90N08 | IRFP2907 | APT20M18LVFR | HRLP55N03K | JCS9N50FC | EM6M2

 

 
Back to Top

 


 
.