HYG210P06LQ1D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HYG210P06LQ1D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO252

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HYG210P06LQ1D datasheet

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HYG210P06LQ1D

HYG210P06LQ1 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -60V/-40A RDS(ON)= 19m (typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 25m (typ.) @VGS = -4.5V S D S G 100% avalanche tested D G Reliable and Rugged S D G Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DC P-Channe

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