HYG210P06LQ1D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HYG210P06LQ1D
   Código: G210P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 90 nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 123 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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HYG210P06LQ1D Datasheet (PDF)

..1. Size:1367K hymexa
hyg210p06lq1d hyg210p06lq1u hyg210p06lq1v.pdf

HYG210P06LQ1 D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -60V/-40ARDS(ON)= 19m(typ.) @VGS = -10VRDS(ON)= 25m(typ.) @VGS = -4.5VSD SG 100% avalanche tested D G Reliable and RuggedSD G Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DCP-Channe

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: