Справочник MOSFET. HYG210P06LQ1D

 

HYG210P06LQ1D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG210P06LQ1D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG210P06LQ1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1367K  hymexa
 hyg210p06lq1d hyg210p06lq1u hyg210p06lq1v.pdf pdf_icon

HYG210P06LQ1D

HYG210P06LQ1 D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -60V/-40ARDS(ON)= 19m(typ.) @VGS = -10VRDS(ON)= 25m(typ.) @VGS = -4.5VSD SG 100% avalanche tested D G Reliable and RuggedSD G Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DCP-Channe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HM9N90F | AON6450 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | CES2314

 

 
Back to Top

 


 
.