HYG400P10LR1D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HYG400P10LR1D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de HYG400P10LR1D MOSFET
HYG400P10LR1D Datasheet (PDF)
hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf
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History: HTS500B03 | HTS600C06 | BLA0912-250 | PMBFJ309
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