HYG400P10LR1D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HYG400P10LR1D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO252

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HYG400P10LR1D datasheet

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HYG400P10LR1D

HYG400P10LR1D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -100V/-40A RDS(ON)= 42m (typ.) @ VGS = -10V RDS(ON)= 48m (typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte

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HYG400P10LR1D

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