HYG400P10LR1D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HYG400P10LR1D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HYG400P10LR1D Datasheet (PDF)
hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf
HYG400P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-40ARDS(ON)= 42m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 48m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: TMP3N50AZ | NCE60P18AQ | WFP840B | PS04P30SA | IRF3707SPBF | SM1A33PSU | 1N60G
History: TMP3N50AZ | NCE60P18AQ | WFP840B | PS04P30SA | IRF3707SPBF | SM1A33PSU | 1N60G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50