HYG400P10LR1U Todos los transistores

 

HYG400P10LR1U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG400P10LR1U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de HYG400P10LR1U MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HYG400P10LR1U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1393K  hymexa
 hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf pdf_icon

HYG400P10LR1U

HYG400P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-40ARDS(ON)= 42m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 48m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte

 9.1. Size:896K  hy
 hyg40p120h1s.pdf pdf_icon

HYG400P10LR1U

Otros transistores... HYG092N10LS1C2 , HYG110P04LQ2D , HYG110P04LQ2U , HYG110P04LQ2V , HYG210P06LQ1D , HYG210P06LQ1U , HYG210P06LQ1V , HYG400P10LR1D , MMIS60R580P , HYG400P10LR1V , HYG800P10LR1D , HYG800P10LR1U , HYG800P10LR1V , HSD4N65 , HSU4N65 , HSP4N65 , HSF4N65 .

History: IRHN7230

 

 
Back to Top

 


 
.