HYG400P10LR1U - аналоги и даташиты транзистора

 

HYG400P10LR1U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HYG400P10LR1U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HYG400P10LR1U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG400P10LR1U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1393K  hymexa
 hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf pdf_icon

HYG400P10LR1U

HYG400P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-40ARDS(ON)= 42m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 48m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte

 9.1. Size:896K  hy
 hyg40p120h1s.pdf pdf_icon

HYG400P10LR1U

Другие MOSFET... HYG092N10LS1C2 , HYG110P04LQ2D , HYG110P04LQ2U , HYG110P04LQ2V , HYG210P06LQ1D , HYG210P06LQ1U , HYG210P06LQ1V , HYG400P10LR1D , MMIS60R580P , HYG400P10LR1V , HYG800P10LR1D , HYG800P10LR1U , HYG800P10LR1V , HSD4N65 , HSU4N65 , HSP4N65 , HSF4N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.