HYG400P10LR1U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HYG400P10LR1U
Маркировка: G400P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 83.1 nC
Время нарастания (tr): 26 ns
Выходная емкость (Cd): 189 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для HYG400P10LR1U
HYG400P10LR1U Datasheet (PDF)
..1. Size:1393K hymexa
hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf
hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf
HYG400P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-40ARDS(ON)= 42m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 48m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
