HYG400P10LR1V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HYG400P10LR1V
Código: G400P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 83.1 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 189 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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HYG400P10LR1V Datasheet (PDF)
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HYG400P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-40ARDS(ON)= 42m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 48m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte
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