HYG400P10LR1V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG400P10LR1V

Маркировка: G400P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 83.1 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HYG400P10LR1V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG400P10LR1V даташит

 ..1. Size:1393K  hymexa
 hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf pdf_icon

HYG400P10LR1V

HYG400P10LR1D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -100V/-40A RDS(ON)= 42m (typ.) @ VGS = -10V RDS(ON)= 48m (typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte

 9.1. Size:896K  hy
 hyg40p120h1s.pdf pdf_icon

HYG400P10LR1V

Другие IGBT... HYG110P04LQ2D, HYG110P04LQ2U, HYG110P04LQ2V, HYG210P06LQ1D, HYG210P06LQ1U, HYG210P06LQ1V, HYG400P10LR1D, HYG400P10LR1U, IRFZ48N, HYG800P10LR1D, HYG800P10LR1U, HYG800P10LR1V, HSD4N65, HSU4N65, HSP4N65, HSF4N65, HSBA0048