HYG400P10LR1V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HYG400P10LR1V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для HYG400P10LR1V
HYG400P10LR1V Datasheet (PDF)
hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf
HYG400P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-40ARDS(ON)= 42m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 48m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte
Другие MOSFET... HYG110P04LQ2D , HYG110P04LQ2U , HYG110P04LQ2V , HYG210P06LQ1D , HYG210P06LQ1U , HYG210P06LQ1V , HYG400P10LR1D , HYG400P10LR1U , RU7088R , HYG800P10LR1D , HYG800P10LR1U , HYG800P10LR1V , HSD4N65 , HSU4N65 , HSP4N65 , HSF4N65 , HSBA0048 .
History: SI4953 | ST2305A | PSMN3R3-80ES | AO4600 | 2SK1068 | WMO10N65EM | DMN3110S
History: SI4953 | ST2305A | PSMN3R3-80ES | AO4600 | 2SK1068 | WMO10N65EM | DMN3110S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet