HYG800P10LR1V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HYG800P10LR1V
   Código: G800P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 42.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 21 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 111 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.098 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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HYG800P10LR1V Datasheet (PDF)

..1. Size:1474K hymexa
hyg800p10lr1d hyg800p10lr1u hyg800p10lr1v.pdf

HYG800P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-20ARDS(ON)= 77m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 86m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management in DC/DC converter. Load switching.P-Chann

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Liste

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