Справочник MOSFET. HYG800P10LR1V

 

HYG800P10LR1V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG800P10LR1V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG800P10LR1V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1474K  hymexa
 hyg800p10lr1d hyg800p10lr1u hyg800p10lr1v.pdf pdf_icon

HYG800P10LR1V

HYG800P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-20ARDS(ON)= 77m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 86m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management in DC/DC converter. Load switching.P-Chann

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SJ353 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | BSP317P | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.