HYG800P10LR1V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HYG800P10LR1V
Маркировка: G800P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 42.6 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 111 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.098 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для HYG800P10LR1V
HYG800P10LR1V Datasheet (PDF)
..1. Size:1474K hymexa
hyg800p10lr1d hyg800p10lr1u hyg800p10lr1v.pdf
hyg800p10lr1d hyg800p10lr1u hyg800p10lr1v.pdf
HYG800P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-20ARDS(ON)= 77m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 86m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management in DC/DC converter. Load switching.P-Chann
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
