HSD4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSD4N65
   Código: 4N65UF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 80 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 25 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 54 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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HSD4N65 Datasheet (PDF)

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hsd4n65 hsu4n65 hsp4n65 hsf4n65.pdf

HS4N65 650V 4A N-Channel Planar MOSFET FEATURES General Description RDSON3.0 @Vgs=10V, Id=2A HS4N65 is Fortunatus high voltage MOSFET family based on Ultra Low gate Charge(typical 13 nC) advanced planar stripe DMOS technology. This advanced Low Crss (typical 5pF) MOSFET family has optimized on-state resistance, and also Fast switching capability provides s

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