HSD4N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSD4N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HSD4N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSD4N65 даташит

 ..1. Size:1386K  huashuo
 hsd4n65 hsu4n65 hsp4n65 hsf4n65.pdf pdf_icon

HSD4N65

HS4N65 650V 4A N-Channel Planar MOSFET FEATURES General Description RDSON 3.0 @Vgs=10V, Id=2A HS4N65 is Fortunatus high voltage MOSFET family based on Ultra Low gate Charge(typical 13 nC) advanced planar stripe DMOS technology. This advanced Low Crss (typical 5pF) MOSFET family has optimized on-state resistance, and also Fast switching capability provides s

Другие IGBT... HYG210P06LQ1U, HYG210P06LQ1V, HYG400P10LR1D, HYG400P10LR1U, HYG400P10LR1V, HYG800P10LR1D, HYG800P10LR1U, HYG800P10LR1V, IRF9640, HSU4N65, HSP4N65, HSF4N65, HSBA0048, HSBA0139, HSBA060N10, HSBA100P03, HSBA15810C