HSBA20N15S Todos los transistores

 

 

HSBA20N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSBA20N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: PRPAK5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de HSBA20N15S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

 

HSBA20N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  1
 hsba20n15s.pdf pdf_icon

HSBA20N15S

HSBA20N15S N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSBA20N15S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),max 56 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSBA20N15S meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EA

 ..2. Size:757K  huashuo
 hsba20n15s.pdf pdf_icon

HSBA20N15S

HSBA20N15S N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSBA20N15S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),max 56 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSBA20N15S meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EA

Otros transistores... HSU4N65 , HSP4N65 , HSF4N65 , HSBA0048 , HSBA0139 , HSBA060N10 , HSBA100P03 , HSBA15810C , 60N06 , HSBA3004 , HSBA3014 , HSBA3031 , HSBA3048 , HSBA3050 , HSBA3052 , HSBA3054 , HSBA3056 .

History: FSL23A4D | SSM5H11TU | HSM4103

 

 
Back to Top

 


 
.