Справочник MOSFET. HSBA20N15S

 

HSBA20N15S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSBA20N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK5X6

 Аналог (замена) для HSBA20N15S

 

 

HSBA20N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  1
 hsba20n15s.pdf

HSBA20N15S HSBA20N15S

HSBA20N15S N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSBA20N15S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),max 56 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSBA20N15S meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EA

 ..2. Size:757K  huashuo
 hsba20n15s.pdf

HSBA20N15S HSBA20N15S

HSBA20N15S N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSBA20N15S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),max 56 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSBA20N15S meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EA

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top