HSBA20N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBA20N15S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: PRPAK5X6

Аналог (замена) для HSBA20N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA20N15S даташит

 ..1. Size:757K  1
 hsba20n15s.pdf pdf_icon

HSBA20N15S

HSBA20N15S N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSBA20N15S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),max 56 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSBA20N15S meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EA

 ..2. Size:757K  huashuo
 hsba20n15s.pdf pdf_icon

HSBA20N15S

HSBA20N15S N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSBA20N15S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),max 56 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSBA20N15S meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EA

Другие IGBT... HSU4N65, HSP4N65, HSF4N65, HSBA0048, HSBA0139, HSBA060N10, HSBA100P03, HSBA15810C, 60N06, HSBA3004, HSBA3014, HSBA3031, HSBA3048, HSBA3050, HSBA3052, HSBA3054, HSBA3056