Справочник MOSFET. HSBA20N15S

 

HSBA20N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBA20N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK5X6
 

 Аналог (замена) для HSBA20N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA20N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  1
 hsba20n15s.pdf pdf_icon

HSBA20N15S

HSBA20N15S N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSBA20N15S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),max 56 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSBA20N15S meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EA

 ..2. Size:757K  huashuo
 hsba20n15s.pdf pdf_icon

HSBA20N15S

HSBA20N15S N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSBA20N15S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell RDS(ON),max 56 m density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck ID 23 A converter applications. The HSBA20N15S meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EA

Другие MOSFET... HSU4N65 , HSP4N65 , HSF4N65 , HSBA0048 , HSBA0139 , HSBA060N10 , HSBA100P03 , HSBA15810C , AO4468 , HSBA3004 , HSBA3014 , HSBA3031 , HSBA3048 , HSBA3050 , HSBA3052 , HSBA3054 , HSBA3056 .

History: IRF7703PBF | IPD90N04S4-05 | PT5B9BA | 2305 | ME35N06-G

 

 
Back to Top

 


 
.