HSBB2627 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSBB2627

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 76.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 509 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: PRPAK3X3

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HSBB2627 datasheet

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HSBB2627

HSBB2627 Description Product Summary VDS -20 V The HSBB2627 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDS(ON),max 9 m RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -48 A The HSBB2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l Super Low Gate Charge PRPAK3x3

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HSBB2627

HSBB2627 Description Product Summary VDS -20 V The HSBB2627 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDS(ON),max 9 m RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -48 A The HSBB2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l Super Low Gate Charge PRPAK3x3

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