HSBB2627 Todos los transistores

 

HSBB2627 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSBB2627
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 76.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 509 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PRPAK3X3
 

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HSBB2627 Datasheet (PDF)

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HSBB2627

HSBB2627 Description Product Summary VDS -20 V The HSBB2627 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDS(ON),max 9 m RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -48 A The HSBB2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l Super Low Gate Charge PRPAK3x3

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HSBB2627

HSBB2627 Description Product Summary VDS -20 V The HSBB2627 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDS(ON),max 9 m RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -48 A The HSBB2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l Super Low Gate Charge PRPAK3x3

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History: SHD219504 | HSBB02P15 | IAUC100N04S6L014 | CEU20N02

 

 
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