HSBB2627 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBB2627

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3

Аналог (замена) для HSBB2627

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB2627 даташит

 ..1. Size:535K  1
 hsbb2627.pdf pdf_icon

HSBB2627

HSBB2627 Description Product Summary VDS -20 V The HSBB2627 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDS(ON),max 9 m RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -48 A The HSBB2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l Super Low Gate Charge PRPAK3x3

 ..2. Size:535K  huashuo
 hsbb2627.pdf pdf_icon

HSBB2627

HSBB2627 Description Product Summary VDS -20 V The HSBB2627 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDS(ON),max 9 m RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -48 A The HSBB2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l Super Low Gate Charge PRPAK3x3

Другие IGBT... HSBA6040, HSBA6048, HSBA6066, HSBA8024A, HSBA8048, HSBA8066, HSBB0012, HSBB02P15, 7N65, HSBB3002, HSBB3004, HSBB3016, HSBB3052, HSBB3054, HSBB3056, HSBB3058, HSBB3060