HSBB2627 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSBB2627 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSBB2627
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
 

 Аналог (замена) для HSBB2627

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB2627 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  1
 hsbb2627.pdf pdf_icon

HSBB2627

HSBB2627 Description Product Summary VDS -20 V The HSBB2627 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDS(ON),max 9 m RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -48 A The HSBB2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l Super Low Gate Charge PRPAK3x3

 ..2. Size:535K  huashuo
 hsbb2627.pdf pdf_icon

HSBB2627

HSBB2627 Description Product Summary VDS -20 V The HSBB2627 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDS(ON),max 9 m RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -48 A The HSBB2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l Super Low Gate Charge PRPAK3x3

Другие MOSFET... HSBA6040 , HSBA6048 , HSBA6066 , HSBA8024A , HSBA8048 , HSBA8066 , HSBB0012 , HSBB02P15 , STP75NF75 , HSBB3002 , HSBB3004 , HSBB3016 , HSBB3052 , HSBB3054 , HSBB3056 , HSBB3058 , HSBB3060 .

History: HGN640N25S | IRFG5110 | JMH65R640AK | 2SK3793 | NCEP048N85 | CJP10N60 | JMH65R980ACFP

 

 
Back to Top

 


 
.