HSBB8008 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSBB8008

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm

Encapsulados: PRPAK3X3

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HSBB8008 datasheet

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HSBB8008

HSBB8008 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB8008 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.2 m converter applications. ID 50 A The HSBB8008 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

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HSBB8008

HSBB8008 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB8008 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.2 m converter applications. ID 50 A The HSBB8008 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

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