HSBB8008 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSBB8008
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
Paquete / Cubierta: PRPAK3X3
Búsqueda de reemplazo de HSBB8008 MOSFET
HSBB8008 Datasheet (PDF)
hsbb8008.pdf
HSBB8008 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB8008 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.2 m converter applications. ID 50 A The HSBB8008 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab
hsbb8008.pdf
HSBB8008 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB8008 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.2 m converter applications. ID 50 A The HSBB8008 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab
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History: HSCS2050 | HSCE6032 | HSD6016
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