HSBB8008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBB8008

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3

Аналог (замена) для HSBB8008

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB8008 даташит

 ..1. Size:870K  1
 hsbb8008.pdf pdf_icon

HSBB8008

HSBB8008 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB8008 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.2 m converter applications. ID 50 A The HSBB8008 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 ..2. Size:870K  huashuo
 hsbb8008.pdf pdf_icon

HSBB8008

HSBB8008 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB8008 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.2 m converter applications. ID 50 A The HSBB8008 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

Другие IGBT... HSBB3214, HSBB4016, HSBB4052, HSBB4062, HSBB4115, HSBB6056, HSBB6066, HSBB6115, 5N65, HSBE2730, HSBE2738, HSBF3202, HSBG2024, HSBG2103, HSCA2030, HSCB1216, HSCB2012