Справочник MOSFET. HSBB8008

 

HSBB8008 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSBB8008
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3

 Аналог (замена) для HSBB8008

 

 

HSBB8008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  1
 hsbb8008.pdf

HSBB8008 HSBB8008

HSBB8008 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB8008 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.2 m converter applications. ID 50 A The HSBB8008 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 ..2. Size:870K  huashuo
 hsbb8008.pdf

HSBB8008 HSBB8008

HSBB8008 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB8008 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.2 m converter applications. ID 50 A The HSBB8008 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top