Справочник MOSFET. HSBB8008

 

HSBB8008 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBB8008
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
 

 Аналог (замена) для HSBB8008

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB8008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  1
 hsbb8008.pdf pdf_icon

HSBB8008

HSBB8008 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB8008 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.2 m converter applications. ID 50 A The HSBB8008 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 ..2. Size:870K  huashuo
 hsbb8008.pdf pdf_icon

HSBB8008

HSBB8008 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB8008 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.2 m converter applications. ID 50 A The HSBB8008 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

Другие MOSFET... HSBB3214 , HSBB4016 , HSBB4052 , HSBB4062 , HSBB4115 , HSBB6056 , HSBB6066 , HSBB6115 , 4435 , HSBE2730 , HSBE2738 , HSBF3202 , HSBG2024 , HSBG2103 , HSCA2030 , HSCB1216 , HSCB2012 .

History: RU30J30M3 | NCE4080K | HSBB3004 | SFP070N90C3 | SMK0160I | NCEP1570GU | HRLU370N10K

 

 
Back to Top

 


 
.