HSBF3202 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSBF3202
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: PRPAK3X3A
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSBF3202
HSBF3202 Datasheet (PDF)
hsbf3202.pdf
HSBF3202 Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBF3202 is the high cell density trenched N-V 30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 18 m DS(ON),maxconverter applications. I 28 A DThe HSBF3202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun
hsbf3202.pdf
HSBF3202 Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBF3202 is the high cell density trenched N-V 30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 18 m DS(ON),maxconverter applications. I 28 A DThe HSBF3202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun
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Liste
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