HSBF3202 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSBF3202

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: PRPAK3X3A

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HSBF3202 datasheet

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HSBF3202

HSBF3202 Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBF3202 is the high cell density trenched N- V 30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 18 m DS(ON),max converter applications. I 28 A D The HSBF3202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

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HSBF3202

HSBF3202 Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBF3202 is the high cell density trenched N- V 30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 18 m DS(ON),max converter applications. I 28 A D The HSBF3202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

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