HSBF3202 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBF3202

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3A

Аналог (замена) для HSBF3202

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBF3202 даташит

 ..1. Size:268K  1
 hsbf3202.pdf pdf_icon

HSBF3202

HSBF3202 Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBF3202 is the high cell density trenched N- V 30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 18 m DS(ON),max converter applications. I 28 A D The HSBF3202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

 ..2. Size:268K  huashuo
 hsbf3202.pdf pdf_icon

HSBF3202

HSBF3202 Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBF3202 is the high cell density trenched N- V 30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 18 m DS(ON),max converter applications. I 28 A D The HSBF3202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

Другие IGBT... HSBB4062, HSBB4115, HSBB6056, HSBB6066, HSBB6115, HSBB8008, HSBE2730, HSBE2738, AON6380, HSBG2024, HSBG2103, HSCA2030, HSCB1216, HSCB2012, HSCB2016, HSCB20D03, HSCB2307