Справочник MOSFET. HSBF3202

 

HSBF3202 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBF3202
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3A
 

 Аналог (замена) для HSBF3202

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBF3202 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  1
 hsbf3202.pdf pdf_icon

HSBF3202

HSBF3202 Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBF3202 is the high cell density trenched N-V 30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 18 m DS(ON),maxconverter applications. I 28 A DThe HSBF3202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

 ..2. Size:268K  huashuo
 hsbf3202.pdf pdf_icon

HSBF3202

HSBF3202 Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBF3202 is the high cell density trenched N-V 30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 18 m DS(ON),maxconverter applications. I 28 A DThe HSBF3202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

Другие MOSFET... HSBB4062 , HSBB4115 , HSBB6056 , HSBB6066 , HSBB6115 , HSBB8008 , HSBE2730 , HSBE2738 , IRLZ44N , HSBG2024 , HSBG2103 , HSCA2030 , HSCB1216 , HSCB2012 , HSCB2016 , HSCB20D03 , HSCB2307 .

History: JFPC13N50C | IRF721FI

 

 
Back to Top

 


 
.