Справочник MOSFET. HSBF3202

 

HSBF3202 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBF3202
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBF3202 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  1
 hsbf3202.pdf pdf_icon

HSBF3202

HSBF3202 Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBF3202 is the high cell density trenched N-V 30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 18 m DS(ON),maxconverter applications. I 28 A DThe HSBF3202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

 ..2. Size:268K  huashuo
 hsbf3202.pdf pdf_icon

HSBF3202

HSBF3202 Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBF3202 is the high cell density trenched N-V 30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 18 m DS(ON),maxconverter applications. I 28 A DThe HSBF3202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HSBA6016 | HSBB3002

 

 
Back to Top

 


 
.