HSBG2024 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSBG2024
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN1006
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSBG2024
HSBG2024 Datasheet (PDF)
hsbg2024.pdf
HSBG2024 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSBG2024 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 190 m power switching and load switch applications. ID 1.4 A The HSBG2024 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability
hsbg2103.pdf
HSBG2103 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBG2103 is the high cell density trenched P-V -20 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 350 m DS(ON),typconverter applications. I -0.65 A DThe HSBG2103 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
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Liste
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