HSBG2024 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги HSBG2024. Основные параметры


   Наименование производителя: HSBG2024
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006
 

 Аналог (замена) для HSBG2024

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBG2024 даташит

 ..1. Size:1176K  huashuo
 hsbg2024.pdf pdf_icon

HSBG2024

HSBG2024 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSBG2024 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 190 m power switching and load switch applications. ID 1.4 A The HSBG2024 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

 9.1. Size:669K  huashuo
 hsbg2103.pdf pdf_icon

HSBG2024

HSBG2103 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBG2103 is the high cell density trenched P- V -20 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 350 m DS(ON),typ converter applications. I -0.65 A D The HSBG2103 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... HSBB4115 , HSBB6056 , HSBB6066 , HSBB6115 , HSBB8008 , HSBE2730 , HSBE2738 , HSBF3202 , IRF530 , HSBG2103 , HSCA2030 , HSCB1216 , HSCB2012 , HSCB2016 , HSCB20D03 , HSCB2307 , HSCB3010 .

History: P0260EIS | 5N60A | SSS70N10A | FDV301N

 

 
Back to Top

 


 
.