Справочник MOSFET. HSBG2024

 

HSBG2024 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSBG2024
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006

 Аналог (замена) для HSBG2024

 

 

HSBG2024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1176K  huashuo
 hsbg2024.pdf

HSBG2024 HSBG2024

HSBG2024 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSBG2024 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 190 m power switching and load switch applications. ID 1.4 A The HSBG2024 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

 9.1. Size:669K  huashuo
 hsbg2103.pdf

HSBG2024 HSBG2024

HSBG2103 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBG2103 is the high cell density trenched P-V -20 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 350 m DS(ON),typconverter applications. I -0.65 A DThe HSBG2103 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top