HSBG2103 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSBG2103

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: DFN1006

 Búsqueda de reemplazo de HSBG2103 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSBG2103 datasheet

 ..1. Size:669K  huashuo
 hsbg2103.pdf pdf_icon

HSBG2103

HSBG2103 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBG2103 is the high cell density trenched P- V -20 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 350 m DS(ON),typ converter applications. I -0.65 A D The HSBG2103 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 9.1. Size:1176K  huashuo
 hsbg2024.pdf pdf_icon

HSBG2103

HSBG2024 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSBG2024 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 190 m power switching and load switch applications. ID 1.4 A The HSBG2024 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Otros transistores... HSBB6056, HSBB6066, HSBB6115, HSBB8008, HSBE2730, HSBE2738, HSBF3202, HSBG2024, CS150N03A8, HSCA2030, HSCB1216, HSCB2012, HSCB2016, HSCB20D03, HSCB2307, HSCB3010, HSCC2734