HSBG2103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSBG2103
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSBG2103

HSBG2103 Datasheet (PDF)

..1. Size:669K huashuo
hsbg2103.pdf

HSBG2103 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBG2103 is the high cell density trenched P-V -20 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 350 m DS(ON),typconverter applications. I -0.65 A DThe HSBG2103 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

9.1. Size:1176K huashuo
hsbg2024.pdf

HSBG2024 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSBG2024 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 190 m power switching and load switch applications. ID 1.4 A The HSBG2024 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

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History: SSM9971GD

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