HSBG2103 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBG2103

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: DFN1006

Аналог (замена) для HSBG2103

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBG2103 даташит

 ..1. Size:669K  huashuo
 hsbg2103.pdf pdf_icon

HSBG2103

HSBG2103 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBG2103 is the high cell density trenched P- V -20 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 350 m DS(ON),typ converter applications. I -0.65 A D The HSBG2103 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 9.1. Size:1176K  huashuo
 hsbg2024.pdf pdf_icon

HSBG2103

HSBG2024 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSBG2024 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 190 m power switching and load switch applications. ID 1.4 A The HSBG2024 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие IGBT... HSBB6056, HSBB6066, HSBB6115, HSBB8008, HSBE2730, HSBE2738, HSBF3202, HSBG2024, CS150N03A8, HSCA2030, HSCB1216, HSCB2012, HSCB2016, HSCB20D03, HSCB2307, HSCB3010, HSCC2734