HSCA2030 Todos los transistores

 

HSCA2030 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSCA2030
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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HSCA2030 Datasheet (PDF)

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HSCA2030

HSCA2030 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 20 V The HSCA2030 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , RDS(ON),max 5.8 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load ID 56 A switch applications. The HSCA2030 meet the RoHS and Green Product requ

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History: STI32N65M5 | SWD7N60K2F

 

 
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