HSCA2030 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSCA2030

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HSCA2030

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCA2030 даташит

 ..1. Size:460K  huashuo
 hsca2030.pdf pdf_icon

HSCA2030

HSCA2030 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 20 V The HSCA2030 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , RDS(ON),max 5.8 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load ID 56 A switch applications. The HSCA2030 meet the RoHS and Green Product requ

Другие IGBT... HSBB6066, HSBB6115, HSBB8008, HSBE2730, HSBE2738, HSBF3202, HSBG2024, HSBG2103, NCEP15T14, HSCB1216, HSCB2012, HSCB2016, HSCB20D03, HSCB2307, HSCB3010, HSCC2734, HSCC8204