Справочник MOSFET. HSCA2030

 

HSCA2030 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSCA2030
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для HSCA2030

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCA2030 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  huashuo
 hsca2030.pdf pdf_icon

HSCA2030

HSCA2030 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 20 V The HSCA2030 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , RDS(ON),max 5.8 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load ID 56 A switch applications. The HSCA2030 meet the RoHS and Green Product requ

Другие MOSFET... HSBB6066 , HSBB6115 , HSBB8008 , HSBE2730 , HSBE2738 , HSBF3202 , HSBG2024 , HSBG2103 , IRFP450 , HSCB1216 , HSCB2012 , HSCB2016 , HSCB20D03 , HSCB2307 , HSCB3010 , HSCC2734 , HSCC8204 .

History: SFP086N80CC2 | SFG10S10PF | SST60R360S2E | SSF2439E | JFFC10N65C | WMM15N70C4 | IRF1405PBF

 

 
Back to Top

 


 
.