HSCB1216 Todos los transistores

 

HSCB1216 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSCB1216
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSCB1216 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1079K  huashuo
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HSCB1216

HSCB1216 P-Ch 12V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB1216 is the high cell density trenched P-VDS -12 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 13 m converter applications. ID -16 A The HSCB1216 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MRF5003 | IRFR120TR | 4N65KG-T60-K | RQK0608BQDQS | CSD17309Q3 | AONS36316

 

 
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