HSCB1216 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSCB1216
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
Búsqueda de reemplazo de HSCB1216 MOSFET
HSCB1216 Datasheet (PDF)
hscb1216.pdf
HSCB1216 P-Ch 12V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB1216 is the high cell density trenched P-VDS -12 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 13 m converter applications. ID -16 A The HSCB1216 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
Otros transistores... HSBB6115 , HSBB8008 , HSBE2730 , HSBE2738 , HSBF3202 , HSBG2024 , HSBG2103 , HSCA2030 , AON7506 , HSCB2012 , HSCB2016 , HSCB20D03 , HSCB2307 , HSCB3010 , HSCC2734 , HSCC8204 , HSCC8211 .
History: HSCS2050 | HSBE2738 | HSBE2730
History: HSCS2050 | HSBE2738 | HSBE2730
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