Справочник MOSFET. HSCB1216

 

HSCB1216 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSCB1216
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для HSCB1216

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCB1216 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1079K  huashuo
 hscb1216.pdf pdf_icon

HSCB1216

HSCB1216 P-Ch 12V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB1216 is the high cell density trenched P-VDS -12 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 13 m converter applications. ID -16 A The HSCB1216 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... HSBB6115 , HSBB8008 , HSBE2730 , HSBE2738 , HSBF3202 , HSBG2024 , HSBG2103 , HSCA2030 , IRFP250 , HSCB2012 , HSCB2016 , HSCB20D03 , HSCB2307 , HSCB3010 , HSCC2734 , HSCC8204 , HSCC8211 .

History: SPC7N65G | TF2341 | HSBE2738 | RDN100N20 | KF13N60N | PDP0980 | WML10N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.