HSCB1216 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSCB1216

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для HSCB1216

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCB1216 даташит

 ..1. Size:1079K  huashuo
 hscb1216.pdf pdf_icon

HSCB1216

Другие IGBT... HSBB6115, HSBB8008, HSBE2730, HSBE2738, HSBF3202, HSBG2024, HSBG2103, HSCA2030, AON7506, HSCB2012, HSCB2016, HSCB20D03, HSCB2307, HSCB3010, HSCC2734, HSCC8204, HSCC8211