HSCB3010 Todos los transistores

 

HSCB3010 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSCB3010
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSCB3010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  huashuo
 hscb3010.pdf pdf_icon

HSCB3010

HSCB3010 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB3010 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 7.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 20 A The HSCB3010 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

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History: NCEP11N10AK | BSS84KR

 

 
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