HSCB3010 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSCB3010
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
Búsqueda de reemplazo de HSCB3010 MOSFET
HSCB3010 Datasheet (PDF)
hscb3010.pdf

HSCB3010 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB3010 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 7.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 20 A The HSCB3010 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel
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History: WMO060N10HGS | IRF9630SPBF | WML07N65C4 | CJ3401-HF | RAQ045P01 | STP62NS04Z | 2SK312
History: WMO060N10HGS | IRF9630SPBF | WML07N65C4 | CJ3401-HF | RAQ045P01 | STP62NS04Z | 2SK312



Liste
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