Справочник MOSFET. HSCB3010

 

HSCB3010 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSCB3010
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для HSCB3010

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCB3010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  huashuo
 hscb3010.pdf pdf_icon

HSCB3010

HSCB3010 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB3010 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 7.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 20 A The HSCB3010 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие MOSFET... HSBG2024 , HSBG2103 , HSCA2030 , HSCB1216 , HSCB2012 , HSCB2016 , HSCB20D03 , HSCB2307 , 18N50 , HSCC2734 , HSCC8204 , HSCC8211 , HSCC8233 , HSCE2530 , HSCE2631 , HSCE6032 , HSCS2050 .

History: RAQ045P01 | NP90N03VUG

 

 
Back to Top

 


 
.