Справочник MOSFET. HSCB3010

 

HSCB3010 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSCB3010
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L

 Аналог (замена) для HSCB3010

 

 

HSCB3010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  huashuo
 hscb3010.pdf

HSCB3010 HSCB3010

HSCB3010 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB3010 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 7.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 20 A The HSCB3010 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top