HSCB3010 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HSCB3010
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2-6L
Аналог (замена) для HSCB3010
HSCB3010 Datasheet (PDF)
hscb3010.pdf

HSCB3010 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB3010 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 7.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 20 A The HSCB3010 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel
Другие MOSFET... HSBG2024 , HSBG2103 , HSCA2030 , HSCB1216 , HSCB2012 , HSCB2016 , HSCB20D03 , HSCB2307 , 18N50 , HSCC2734 , HSCC8204 , HSCC8211 , HSCC8233 , HSCE2530 , HSCE2631 , HSCE6032 , HSCS2050 .
History: RAQ045P01 | NP90N03VUG
History: RAQ045P01 | NP90N03VUG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent