HSCC2734 Todos los transistores

 

HSCC2734 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSCC2734
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3
 

 Búsqueda de reemplazo de HSCC2734 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSCC2734 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  huashuo
 hscc2734.pdf pdf_icon

HSCC2734

HSCC2734 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summary The HSCC2734 is the low RDSON trenched N-V 20 V DSCH MOSFETs with robust ESD protection. This R 16 m DS(ON),maxproduct is suitable for Lithium-ion battery pack applications. I 8 A DThe HSCC2734 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Lo

Otros transistores... HSBG2103 , HSCA2030 , HSCB1216 , HSCB2012 , HSCB2016 , HSCB20D03 , HSCB2307 , HSCB3010 , 10N65 , HSCC8204 , HSCC8211 , HSCC8233 , HSCE2530 , HSCE2631 , HSCE6032 , HSCS2050 , HSCS2052 .

History: WPMD3002 | SFG10R08BF

 

 
Back to Top

 


 
.