HSCC2734 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSCC2734
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X3
- Selección de transistores por parámetros
HSCC2734 Datasheet (PDF)
hscc2734.pdf

HSCC2734 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summary The HSCC2734 is the low RDSON trenched N-V 20 V DSCH MOSFETs with robust ESD protection. This R 16 m DS(ON),maxproduct is suitable for Lithium-ion battery pack applications. I 8 A DThe HSCC2734 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Lo
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: NCEP40P65GU | R6535ENZ1 | 4N70G-TN3-R | R6004ENX | CSD17506Q5A | PA515BD | 2N65L-TMA-T
History: NCEP40P65GU | R6535ENZ1 | 4N70G-TN3-R | R6004ENX | CSD17506Q5A | PA515BD | 2N65L-TMA-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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