HSCC2734 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSCC2734
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSCC2734

HSCC2734 Datasheet (PDF)

..1. Size:785K huashuo
hscc2734.pdf

HSCC2734 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summary The HSCC2734 is the low RDSON trenched N-V 20 V DSCH MOSFETs with robust ESD protection. This R 16 m DS(ON),maxproduct is suitable for Lithium-ion battery pack applications. I 8 A DThe HSCC2734 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Lo

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