HSCC2734 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSCC2734

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3

Аналог (замена) для HSCC2734

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCC2734 даташит

 ..1. Size:785K  huashuo
 hscc2734.pdf pdf_icon

HSCC2734

HSCC2734 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summary The HSCC2734 is the low RDSON trenched N- V 20 V DS CH MOSFETs with robust ESD protection. This R 16 m DS(ON),max product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. I 8 A D The HSCC2734 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Lo

Другие IGBT... HSBG2103, HSCA2030, HSCB1216, HSCB2012, HSCB2016, HSCB20D03, HSCB2307, HSCB3010, 4N60, HSCC8204, HSCC8211, HSCC8233, HSCE2530, HSCE2631, HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052