HSCE2530 Todos los transistores

 

HSCE2530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSCE2530
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 501 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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HSCE2530 Datasheet (PDF)

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HSCE2530

HSCE2530 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCE2530 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE2530 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 9.1. Size:778K  huashuo
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HSCE2530

HSCE2631 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -20 V DSThe HSCE2631 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent R 3.6 m DS(ON),typRDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -50 A DThe HSCE2631 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

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History: IPP020N08N5 | SWD9N50D | JFPC13N50C | STH80N10LF7-2AG | SFP040N40C2 | WMS06N10TS | NCE30NP4030G

 

 
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