HSCE2530 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSCE2530

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 501 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

 Búsqueda de reemplazo de HSCE2530 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSCE2530 datasheet

 ..1. Size:788K  huashuo
 hsce2530.pdf pdf_icon

HSCE2530

HSCE2530 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCE2530 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE2530 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 9.1. Size:778K  huashuo
 hsce2631.pdf pdf_icon

HSCE2530

HSCE2631 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -20 V DS The HSCE2631 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent R 3.6 m DS(ON),typ RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -50 A D The HSCE2631 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

Otros transistores... HSCB2016, HSCB20D03, HSCB2307, HSCB3010, HSCC2734, HSCC8204, HSCC8211, HSCC8233, 10N65, HSCE2631, HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85