Справочник MOSFET. HSCE2530

 

HSCE2530 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSCE2530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 501 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для HSCE2530

 

 

HSCE2530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  huashuo
 hsce2530.pdf

HSCE2530 HSCE2530

HSCE2530 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCE2530 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE2530 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 9.1. Size:778K  huashuo
 hsce2631.pdf

HSCE2530 HSCE2530

HSCE2631 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -20 V DSThe HSCE2631 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent R 3.6 m DS(ON),typRDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -50 A DThe HSCE2631 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top