Справочник MOSFET. HSCE2530

 

HSCE2530 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSCE2530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 501 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HSCE2530

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCE2530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  huashuo
hsce2530.pdfpdf_icon

HSCE2530

HSCE2530 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCE2530 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE2530 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 9.1. Size:778K  huashuo
hsce2631.pdfpdf_icon

HSCE2530

HSCE2631 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -20 V DSThe HSCE2631 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent R 3.6 m DS(ON),typRDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -50 A DThe HSCE2631 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

Другие MOSFET... HSCB2016 , HSCB20D03 , HSCB2307 , HSCB3010 , HSCC2734 , HSCC8204 , HSCC8211 , HSCC8233 , STP80NF70 , HSCE2631 , HSCE6032 , HSCS2050 , HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 .

History: WMO13N50C4 | 2SK2164 | WMR12N03T1 | WMO25N06TS | IRFHM8326PBF | FDBL86366F085 | MTA55N20J3

 

 
Back to Top

 


 
.