HSCE2530 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSCE2530

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 501 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для HSCE2530

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCE2530 даташит

 ..1. Size:788K  huashuo
 hsce2530.pdf pdf_icon

HSCE2530

HSCE2530 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCE2530 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE2530 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 9.1. Size:778K  huashuo
 hsce2631.pdf pdf_icon

HSCE2530

HSCE2631 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -20 V DS The HSCE2631 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent R 3.6 m DS(ON),typ RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -50 A D The HSCE2631 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

Другие IGBT... HSCB2016, HSCB20D03, HSCB2307, HSCB3010, HSCC2734, HSCC8204, HSCC8211, HSCC8233, 10N65, HSCE2631, HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85