HSCE2631 Todos los transistores

 

 

HSCE2631 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSCE2631
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 509 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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HSCE2631 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:778K  huashuo
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HSCE2631

HSCE2631 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -20 V DSThe HSCE2631 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent R 3.6 m DS(ON),typRDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -50 A DThe HSCE2631 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

 9.1. Size:788K  huashuo
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HSCE2631

HSCE2530 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCE2530 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE2530 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

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History: HSBE2730 | HSCB20D03 | HSBE2738 | HSCS2050 | HSBB4062 | HSCB1216

 

 
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