HSCE2631 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSCE2631

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 509 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

 Búsqueda de reemplazo de HSCE2631 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSCE2631 datasheet

 ..1. Size:778K  huashuo
 hsce2631.pdf pdf_icon

HSCE2631

HSCE2631 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -20 V DS The HSCE2631 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent R 3.6 m DS(ON),typ RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -50 A D The HSCE2631 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

 9.1. Size:788K  huashuo
 hsce2530.pdf pdf_icon

HSCE2631

HSCE2530 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCE2530 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE2530 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

Otros transistores... HSCB20D03, HSCB2307, HSCB3010, HSCC2734, HSCC8204, HSCC8211, HSCC8233, HSCE2530, 5N60, HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04