HSCE2631 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSCE2631 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSCE2631
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HSCE2631

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCE2631 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:778K  huashuo
 hsce2631.pdf pdf_icon

HSCE2631

HSCE2631 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -20 V DSThe HSCE2631 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent R 3.6 m DS(ON),typRDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -50 A DThe HSCE2631 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

 9.1. Size:788K  huashuo
 hsce2530.pdf pdf_icon

HSCE2631

HSCE2530 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCE2530 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE2530 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

Другие MOSFET... HSCB20D03 , HSCB2307 , HSCB3010 , HSCC2734 , HSCC8204 , HSCC8211 , HSCC8233 , HSCE2530 , 13N50 , HSCE6032 , HSCS2050 , HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 .

History: PE597BA | PE551BA

 

 
Back to Top

 


 
.