HSCE2631 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSCE2631

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для HSCE2631

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCE2631 даташит

 ..1. Size:778K  huashuo
 hsce2631.pdf pdf_icon

HSCE2631

HSCE2631 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -20 V DS The HSCE2631 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent R 3.6 m DS(ON),typ RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -50 A D The HSCE2631 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

 9.1. Size:788K  huashuo
 hsce2530.pdf pdf_icon

HSCE2631

HSCE2530 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCE2530 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE2530 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

Другие IGBT... HSCB20D03, HSCB2307, HSCB3010, HSCC2734, HSCC8204, HSCC8211, HSCC8233, HSCE2530, 5N60, HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04