HSCE6032 Todos los transistores

 

HSCE6032 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSCE6032
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 201 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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HSCE6032 Datasheet (PDF)

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HSCE6032

HSCE6032 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSCE6032 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

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History: STB300NH02L | STB24N60DM2 | SIS472ADN | STB25NM50N-1 | HRP140N06K | SSF65R1K2S2E | WPM3407

 

 
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