Справочник MOSFET. HSCE6032

 

HSCE6032 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSCE6032
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   trⓘ - Время нарастания: 41.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCE6032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:779K  huashuo
 hsce6032.pdf pdf_icon

HSCE6032

HSCE6032 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSCE6032 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: WPMD2011 | WPM2014 | HSCB20D03

 

 
Back to Top

 


 
.