HSCE6032 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSCE6032

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для HSCE6032

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCE6032 даташит

 ..1. Size:779K  huashuo
 hsce6032.pdf pdf_icon

HSCE6032

HSCE6032 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSCE6032 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие IGBT... HSCB2307, HSCB3010, HSCC2734, HSCC8204, HSCC8211, HSCC8233, HSCE2530, HSCE2631, RFP50N06, HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04, HSH15810