Справочник MOSFET. HSCE6032

 

HSCE6032 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSCE6032
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HSCE6032

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCE6032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:779K  huashuo
 hsce6032.pdf pdf_icon

HSCE6032

HSCE6032 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSCE6032 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSCE6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие MOSFET... HSCB2307 , HSCB3010 , HSCC2734 , HSCC8204 , HSCC8211 , HSCC8233 , HSCE2530 , HSCE2631 , SKD502T , HSCS2050 , HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 .

History: SMK1360FD | IRFL210TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.