HSD6016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSD6016
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 47 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 28.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 9.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSD6016

HSD6016 Datasheet (PDF)

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hsd6016.pdf

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9.1. Size:264K huashuo
hsd6004.pdf

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Liste

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