HSD6016 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSD6016

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO251

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HSD6016 datasheet

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HSD6016

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HSD6016

HSD6004 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 60 V DS The HSD6004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent R 30 m DS(ON),max RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 23 A D The HSD6004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

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