HSD6016 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSD6016 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSD6016
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HSD6016

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSD6016 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  huashuo
 hsd6016.pdf pdf_icon

HSD6016

HSD6016 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSD6016 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 12 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 47 A The HSD6016 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabilit

 9.1. Size:264K  huashuo
 hsd6004.pdf pdf_icon

HSD6016

HSD6004 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 60 V DSThe HSD6004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent R 30 m DS(ON),maxRDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 23 A DThe HSD6004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие MOSFET... HSCC8211 , HSCC8233 , HSCE2530 , HSCE2631 , HSCE6032 , HSCS2050 , HSCS2052 , HSD6004 , 20N50 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 .

History: HSBB3214

 

 
Back to Top

 


 
.