Справочник MOSFET. HSD6016

 

HSD6016 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSD6016
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для HSD6016

 

 

HSD6016 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  huashuo
 hsd6016.pdf

HSD6016 HSD6016

HSD6016 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSD6016 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 12 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 47 A The HSD6016 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabilit

 9.1. Size:264K  huashuo
 hsd6004.pdf

HSD6016 HSD6016

HSD6004 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 60 V DSThe HSD6004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent R 30 m DS(ON),maxRDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 23 A DThe HSD6004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top