HSF10N65 Todos los transistores

 

HSF10N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSF10N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 103 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de HSF10N65 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSF10N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1531K  huashuo
 hsf10n65.pdf pdf_icon

HSF10N65

HSF10N65 Product Summary Description VDS 650 V The HSF10N65 utilizes the advanced technology and low resistance package to RDS(ON),typ 800 m achieve extremely low on-resistance device which makes the system design an efficient ID 10 A and reliable solution for use in a wide variety of applications. TO220F Pin Configuration High Efficiency 100% EAS Guarante

Otros transistores... HSCC8233 , HSCE2530 , HSCE2631 , HSCE6032 , HSCS2050 , HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , CS150N03A8 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A .

History: NCEP038N10GU | IRFB7434PBF | MTB080N15J3

 

 
Back to Top

 


 
.