HSF10N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSF10N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 103 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HSF10N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSF10N65 даташит

 ..1. Size:1531K  huashuo
 hsf10n65.pdf pdf_icon

HSF10N65

HSF10N65 Product Summary Description VDS 650 V The HSF10N65 utilizes the advanced technology and low resistance package to RDS(ON),typ 800 m achieve extremely low on-resistance device which makes the system design an efficient ID 10 A and reliable solution for use in a wide variety of applications. TO220F Pin Configuration High Efficiency 100% EAS Guarante

Другие IGBT... HSCC8233, HSCE2530, HSCE2631, HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, IRF520, HSH120N85, HSH150N04, HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A