Справочник MOSFET. HSF10N65

 

HSF10N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSF10N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 103 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HSF10N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSF10N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1531K  huashuo
 hsf10n65.pdf pdf_icon

HSF10N65

HSF10N65 Product Summary Description VDS 650 V The HSF10N65 utilizes the advanced technology and low resistance package to RDS(ON),typ 800 m achieve extremely low on-resistance device which makes the system design an efficient ID 10 A and reliable solution for use in a wide variety of applications. TO220F Pin Configuration High Efficiency 100% EAS Guarante

Другие MOSFET... HSCC8233 , HSCE2530 , HSCE2631 , HSCE6032 , HSCS2050 , HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , CS150N03A8 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A .

History: WMM15N65F2 | IRF7380Q | NCE4005 | SI9435DY-T1 | SWD3N80D | JFAM50N50C | MTB300N10L3

 

 
Back to Top

 


 
.