HSH120N85 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSH120N85
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de HSH120N85 MOSFET
HSH120N85 Datasheet (PDF)
hsh120n85.pdf

HSH120N85 N-Ch 85V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 85 V The HSH120N85 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),TYP 4.6 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 120 A The HSH120N85 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
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History: 4N90L-T3N-T | FQPF13N10L | SST309 | SIHA21N60EF | SSFD6046 | IRF9310 | SRM7N65
History: 4N90L-T3N-T | FQPF13N10L | SST309 | SIHA21N60EF | SSFD6046 | IRF9310 | SRM7N65



Liste
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